4芯光纤终端盒

4芯光纤终端盒另一方面,随着技术的进步和大规模产业的形成,光纤价格不断下降,应用范围不断扩大:从初期的本地电话网的局间中继线到长途干线进一步延伸到用户接入网,从数字电话到有线电视(CATv),从单一类型信息的传输到多种业务的传输。目前光纤已成为信息宽带传输的主要媒质,光纤通信系统将成为未来信息基础设施的支柱。在许多发达,生产光纤通信产品的行业已在国民经济中占重要地位。根据资料,仅光缆产品一项(约占整个光纤通信产品的一半),1995年在世界市场销售额达80亿美元2000年达180亿美元,5年中复合年增长率(CAGR)为17.6%。世界成缆光纤市场销售量,1994年为1810×104km,2001年为6570×104km,7年中CAGR为20%。

 4芯光纤终端盒细节图片

 4芯光纤终端盒简介

1980年,美国标准化FT-3光纤通信系统投入商业应用,系统采用渐变型多模光纤,速率为44.7Mb/s。随后美国很快敷设了东西干线和南北干线,穿越22个州,光缆总长达5×10km。1976年和1978年,日本先后进行了速率为34Mb/s,传输距离为64km的突变型多模光纤通信系统,以及速率为100Mb/s的渐变型多模光纤通信系统的试验。1983年敷设了纵贯日本南北的光缆长途干线,全长3400km,初期传输速率为400Mb/s,后来扩容到1.6Gb/s。随后,由美、日、英、法发起的较好条横跨大西洋TAT-8海底光缆通信系统于1988年建成,全长6400km;较好条横跨太平洋TPC-3/HAW-4海底光缆通信系统于1989年建成,全长13200km。

 4芯光纤终端盒内部结构

从此,海底光缆通信系统的建设得到了一体展开,促进了大部分通信网的发展。自从1966年高锟提出光纤作为传输介质的概念以来,光纤通信从研究到应用,发展非常迅速:技术上不断更新换代,通信能力(传输速率和中继距离)不断提高,应用范围不断扩大。光纤通信的发展可以粗略地分为四个阶段:较好阶段(1966-1976年),这是从基础研究到商业应用的开发时期。在这个时期,实现了短波长(0.85pm)低速率(45或34Mb/s)多模光纤通信系统,无中继传输距离(即中继器之间的间距,简称中继距离)约10km。第二阶段(1976~1986年),这是以提高传输速率和增加传输距离为研究目标和大力推广应用的大发展时期。在这个时期,光纤从多模发展到单模,工作波长从短波长(0.85pm)发展到长波长(1.31pm和1.55gm),实现了工作波长为1.31pm、传输速率为140~565Mb/s的单模光纤通信系统,无中继传输距离为50~100km。

 4芯光纤终端盒操作说明

第三(1986~1996年),这是进一步提高传输速率、增加传输距离并一体深入开展新技术研究的时期。在这个时期,实现了1.55m色散移位单模光纤通信系统。采用外调制技术,传输速率可达2.5~10Gb/s,中继传输距离可100~150km。实验室可以达到更高水平。第四阶段(1996年至今)实现了超大容量的波分复用(WDWavelengDivMultiplexing)光纤通信系统及基于WDM和波长选路的光网络;正在研究超长距离的光孤子(Soliton)通信系统(将在第7章作介绍)。1976年,美国在亚特兰大进行的现场试验,标志着光纤通信从基础研究发展到了商业应用的新阶段。此后,光纤通信技术不断创新:光纤从多模发展到单模,工作波长从0.85pm发展到1.31pm和1.55m,传输速率从几十Mb/s发展到几十Gb/s。

 4芯光纤终端盒功能说明

另一方面,随着技术的进步和大规模产业的形成,光纤价格不断下降,应用范围不断扩大:从初期的本地电话网的局间中继线到长途干线进一步延伸到用户接入网,从数字电话到有线电视(CATv),从单一类型信息的传输到多种业务的传输。目前光纤已成为信息宽带传输的主要媒质,光纤通信系统将成为未来信息基础设施的支柱。在许多发达,生产光纤通信产品的行业已在国民经济中占重要地位。根据资料,仅光缆产品一项(约占整个光纤通信产品的一半),1995年在世界市场销售额达80亿美元2000年达180亿美元,5年中复合年增长率(CAGR)为17.6%。世界成缆光纤市场销售量,1994年为1810×104km,2001年为6570×104km,7年中CAGR为20%,每年数据光发射机的功能是把输入电信号转换为光信号,并用耦合技术把光信号大限度地入光纤线路,光发射机光源、驱动器和调制器组成,源是光发射机的核心。

3.1.5发光二极管在光纤通信中使用的光源，除了半导体激光器(LD)以外，还有半导体发极管(LED)。LED是光纤通信中.种重要的光源，它广泛应用于中、低速短距离光纤通信系统中。发光二极管(LED)是非相干光源，是无阅值器件，它的基本工作原理是自发辐射。发光二极管与半导体激光器在材料、异质结构上没有很大差别。二者的差别是:发光二极管没有光学请条腔，不能形成激光。发光根管的发光仅有于自发辐时，所发出的是卖元是非相干光，由于不是激光振苦，所以没有调值。3.1.4量子阱 半导体激光器服子四半号体激光器与般双外质派光器类似， 只是有源区的厚度很薄，如图3.9所示。这种激光器有源区的厚度。很薄的GaAs有源层夹在两层很宽的AIGRAS之间，因此，它是属于双异质结器件。

边发光型LED发光的方向性比面发光型LED好.与光纤的精合效丰较高， 发光亮度也高，但其发光面积小，所以输出的光功事只比面发光型LED稍高些。为了加大入纤的光能量，LED必须做成高亮度的光源。因此，LED的驱动电流比LD的高。a 3. LED的工作特性(1)光谱特性LED发射的是自发辐射光，没有谐振腔对波长进行选择，谱线宽度比LD要宽得多。讲线宽度对系统性能有很大的影响，谱宽▲i越大，与波长相关的色散就越大， 系统所能传输的信号速率就越低。一般短波长GaAlAs-GaAs LED谱线宽度▲为30~ S50nm,长波长InGaAsP-InP LED谱线宽度▲i为60~ 120m.图3-11所示是InGaAsPLED的输出光谱。发光光谱随着温度升高或驱动电流加大，谱线加宽，且峰值波长向长波长方向移动。

输出光功率特性由于LED是无阅值器件，加上电流后，即有光输出，且随着注入电流的增加，输出光功率近似呈线性地增加。因此，在进行调制时，其动态范围大，信号失真小，较适用于模拟 通信。两种类型发光二极管的输出光功率特性如图3-12所示。驱动电流I较小时，P-1 曲线的线性较好:当1过大时，由于P-N结发热而产生饱和现象，使P-I曲线的斜率减小。在通 常工作条件下，LED工作电流为50~ 100mA,输出光功率为儿mW,由于光束辐射角大，入纤光功率只有几百pW. LED 的结构和LD相似，大多采用双异质结芯片， 把有源层来在方式的不同， LED分DED没有解理面，即没有光学请振腔。按照器件输出光力式计光对LED间，不同的爱的的种，面发光型LED输出的光東方向垂直于有源区:边发元为面发光型和边发先学高种: ." 其抵构如图3.10所示输出的光東方向平行于有源区，面发光型LED是在电极部分开孔，光通过透明窗口自孔中射出，发光面般为35 -75um大小与多模光纤芯径差不多，为了提高与光纤的耦合效率，大多采用透镜。

耦合效率由于LED发射出的光来的发散角较大，一般为40" ~120°，因此与光纤的耦合效率较低。一般只适于短距离传输。根据以上特性分析，LED与LD相比，LED输出光功率较小，谱线宽度较宽，调制频率较低。但由于LED性能稳定，寿命长，使用简单，输出光功率线性范围宽，而且制造工艺简单，价格低廉。因此，这种器件在中、低速短距离数字光纤通信系统和模拟光纤通信系统中得到广泛应用。区tF) .五长长二，中五，及下九西面土由从曲线中可以看出，温度对激光器的影响很大，为了降低温度对LD的影响，可以采用 两种方法:选择温度特性不错的新型LD,或通过一个 外加的自动温度控制电路来稳定激光出光功事。

半导体光源的应用LED通常和多模光纤耦合，用于1.31um 或0.85ym波长的小容量、短距离的光通信系统。因为LED发光面积和光束辐射角较大，而多模光纤具有较大的芯径和数值孔径，有利于提高耦合效率，增加入纤功率。LD通常和单模光纤耦合，用于1.31um或155大容量、统在国内、国际都得到较广泛的应用。泛的，)主要也和单模光纤或特殊设计的单模光纤精合，用 分布反惯半导体激光(DFrI 这是目前光纤通信发展的主要趋势。综上所述，可以得出结论:要构成一个激光器，必须具备3个部分:工作物质、泵浦源和光学谐振腔。工作物质在泵浦源的作用下产生粒子数反转分布，成为激活物质，从而具有光的放大作用，激活物质和光学谐振腔是产生激光振荡的必要条件。