移动24芯光缆终端盒

移动24芯光缆终端盒由图可见，它仍然是一个P-N结的结构形式，只不过P型材料由3部分构成，即重掺杂的P层、轻掺杂的1层和普通掺杂的P层。光子从P层射入，进入1层后，在这里，材料吸收了光能并产生了初级电子-空穴对。这时光电子在1层被耗尽层的较弱电场加速，移向P-N结。当光电子运动到高场区时，受到强电场的加速作用，出现雪前碰撞效应。较后，获得雪崩倍增后的光电子到达N层，空穴被P*层吸收。P'层之所以做成高掺杂，是为了减小接触电阻以利于与电极相连。

移动24芯光缆终端盒产品图片

移动24芯光缆终端盒简介

对Ge材料，其人=1.60um,适用于长波长光电二极管:对Si材料，_-1.06um, 可用 于短波光电二极管。 不过Ge管与si管比较，暗电流较大，因此附加噪声也较大，所以，长波长光电二极管多采用三元或四元半导体化合物作材料，如InGiaAs和InGaAsP等。利用光电效应可以制造出简单的P-N结光电二极管。但是，这种光电二极管在P-N结中，由于有内建电场的作用，响应速度快。而在耗尽层以外产生的光电子和光空穴，由于没有内建电场的加速作用，运动速度慢，因而响应速度低，且容易被复合，使光电转换效率低。

移动24芯光缆终端盒应用范围

为了提高光电检测器的转换效率和响应速度，希望耗尽区加宽。为此，在制造时，在P 型、N型材料之间，加一层轻掺杂的N型材料或不掺杂的本征材料，称为1 (Intrinsic, 本征 的)层，如图3-14 (a)所示。由于是轻掺杂，因此电子浓度很低，经护散作用后可形成一一个很宽的耗尽区。同时，为了降低P-N结两端的接触电阻，以便与外电路连接，将P区和N区 做成重掺杂的P*层和N层。将这种结构的光电极管称为 PIN光电二极管， 如图3-14 (b)所示，其光电转换效率和响应速度大大提高了。制造这种晶体管的本征材料是Si或InGaAs.

移动24芯光缆终端盒技术参数

当光照射到PIN光电=极管的光敏面上时，会在整个耗尽区及其附近产生受激吸收现象，从而产生光电子-光空穴对。其中在耗尽区内产生的光电子-光空穴对，在外加负偏压和内建电场的作用下，加速运动，当外电路闭合，就有电流流过。响应速度快，转换效率高。而在耗尽区外产生的光电子光空穴对，因掺杂很重，很快被复合掉，其作用可以忽略不计。

移动24芯光缆终端盒操作说明

目前的光纤通信系统中，常用的雪崩光电极管结构型式，有保护环型和拉通型、 前者是在制作时淀积一层环形N型材料，以防止在高反压时使P.N结边缘产生雪朋击穿。响下面主要介绍拉通型雪地前光 极管(RAPD), 它的结构示意图和电场分布如图3-17所示。图3-17 a)所示的是纵向剖面的结构示意图。图3-17 (b)所示的是将纵向剖面顺 时针转90°的示意图，图3-17 (e)所示的是它的电场强度随位置变化的分布图。