壁挂式24芯光缆终端盒

壁挂式24芯光缆终端盒由图可见，外加负偏压耗尽展的加宽(耗尽层宽的优点在石面有保柜生的电场方向与内建电场方向致，有利于 由上面的讨论可知， 当入射光子能量h小于禁带宽度F 效应也不会发生，印产生无电数成于随属尔小于精带宽度E,时不论入射光有多强，光电即光频《<的入射光是不能产生光电效应的， 将转换为波长， 则人一he.这就是说，只有波长入<人的入射光。才能使这种材料产生光生载流子，故人为产生光电效应的入射光的较大波长，又称为截止波长，相应的后称为截止频率。

壁挂式24芯光缆终端盒产品图片

 壁挂式24芯光缆终端盒简介

对Ge材料，其人=1.60um,适用于长波长光电二极管:对Si材料，_-1.06um, 可用 于短波光电二极管。 不过Ge管与si管比较，暗电流较大，因此附加噪声也较大，所以，长波长光电二极管多采用三元或四元半导体化合物作材料，如InGiaAs和InGaAsP等。利用光电效应可以制造出简单的P-N结光电二极管。但是，这种光电二极管在P-N结中，由于有内建电场的作用，响应速度快。而在耗尽层以外产生的光电子和光空穴，由于没有内建电场的加速作用，运动速度慢，因而响应速度低，且容易被复合，使光电转换效率低。

 壁挂式24芯光缆终端盒应用范围

为了提高光电检测器的转换效率和响应速度，希望耗尽区加宽。为此，在制造时，在P 型、N型材料之间，加一层轻掺杂的N型材料或不掺杂的本征材料，称为1 (Intrinsic, 本征 的)层，如图3-14 (a)所示。由于是轻掺杂，因此电子浓度很低，经护散作用后可形成一一个很宽的耗尽区。同时，为了降低P-N结两端的接触电阻，以便与外电路连接，将P区和N区 做成重掺杂的P*层和N层。将这种结构的光电极管称为 PIN光电二极管， 如图3-14 (b)所示，其光电转换效率和响应速度大大提高了。制造这种晶体管的本征材料是Si或InGaAs.

 壁挂式24芯光缆终端盒技术参数

当光照射到PIN光电=极管的光敏面上时，会在整个耗尽区及其附近产生受激吸收现象，从而产生光电子-光空穴对。其中在耗尽区内产生的光电子-光空穴对，在外加负偏压和内建电场的作用下，加速运动，当外电路闭合，就有电流流过。响应速度快，转换效率高。而在耗尽区外产生的光电子光空穴对，因掺杂很重，很快被复合掉，其作用可以忽略不计。

 壁挂式24芯光缆终端盒操作说明

在长途光纤通信系统中，仅有毫瓦数量级的光功率从光发射机输出，经过几十千米光纤的传输衰减，到达光接收机处的光信号将变得十分微弱。如果采用PIN光电二极管，则输出的光电流仅几个纳安。为了使数字光接收机的判决电路正工作，需要采用放大器。放大器将引入噪声，从而使光接收机的信噪比降低，光接收机的灵敏度降低.如果能使电信号进入放大器之前，先在光电极管内部进行放大，这就引出了另一种类 型的光电二极管，即雪崩光电二极管， 又称APD (Avalanche Pholo Diode). 它不但具有光电转换作用，而且具有内部放大作用，其放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应完成的。